Preparation and characterization of phosphorus doped amorphous silicon for P-I-N photosensor fabrication /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Akhter, Sarkar Mahbub |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
Bangi :
Fakulti Kejuruteraan, Universiti Kebangsaan Malaysia,
1999
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Amorphous silicon by DC glow discharge : design and characterisation /
بواسطة: Danker, Auselm Raymond
منشور في: (1985) -
Effects of argon dilution of silane on the optical properties and surface morphology of hydrogenated amorphous silicon /
بواسطة: Lim, Choon Kheam
منشور في: (2001) -
DC electrical properties of amorphous / crystalline silicon device structures /
بواسطة: Nasreen Shams
منشور في: (1989) -
Optical and electro-optical properties of D.C. PECVD hydrogenated amorphous silicon /
بواسطة: Intan Zuraini Daman
منشور في: (2004) -
Optical absorption studies of heavily doped silicon /
بواسطة: Aw, Siew Eng
منشور في: (1986)