Hasnizah Aris. (2006). Rekabentuk kapasitor boleh laras mems bagi julat 250 fF hingga 1110 fF untuk applikasi RF. Fakulti Kejuruteraan, Universiti Kebangsaan Malaysia.
Chicago Style (17th ed.) CitationHasnizah Aris. Rekabentuk Kapasitor Boleh Laras Mems Bagi Julat 250 FF Hingga 1110 FF Untuk Applikasi RF. Bangi: Fakulti Kejuruteraan, Universiti Kebangsaan Malaysia, 2006.
MLA引文Hasnizah Aris. Rekabentuk Kapasitor Boleh Laras Mems Bagi Julat 250 FF Hingga 1110 FF Untuk Applikasi RF. Fakulti Kejuruteraan, Universiti Kebangsaan Malaysia, 2006.
警告:這些引文格式不一定是100%准確.