Khairul Nisha Mohd. Kharuddin. (2006). Kajian tentang ciri-ciri elektrik transistor elektron kelincahan tinggi pseudomorfik (PHEMT) dalam regim nano. Fakulti Kejuruteraan, Universiti Kebangsaan Malaysia.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Khairul Nisha Mohd. Kharuddin. Kajian Tentang Ciri-ciri Elektrik Transistor Elektron Kelincahan Tinggi Pseudomorfik (PHEMT) Dalam Regim Nano. Bangi: Fakulti Kejuruteraan, Universiti Kebangsaan Malaysia, 2006.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)Khairul Nisha Mohd. Kharuddin. Kajian Tentang Ciri-ciri Elektrik Transistor Elektron Kelincahan Tinggi Pseudomorfik (PHEMT) Dalam Regim Nano. Fakulti Kejuruteraan, Universiti Kebangsaan Malaysia, 2006.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.