Kajian tentang ciri-ciri elektrik transistor elektron kelincahan tinggi pseudomorfik (PHEMT) dalam regim nano /
Saved in:
主要作者: | Khairul Nisha Mohd. Kharuddin |
---|---|
格式: | Thesis 圖書 |
語言: | Malay |
出版: |
Bangi :
Fakulti Kejuruteraan, Universiti Kebangsaan Malaysia,
2006
|
主題: | |
標簽: |
添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
|
相似書籍
-
Kesan sepuhlindap ke atas ciri elektrik sentuhan Ohmik dan Schottky untuk peranti transistor elektron berkelincahan tinggi (HEMTs) /
由: Asban Dolah -
Numerical and experimental studies of backgating in high electron mobility transistors /
由: Lee, Kin Man
出版: (1995) -
Vanadyl tetrabutyltetrakis (dimethylamino) phthalocyanine based thin films for organic sensor and transistor applications /
由: Nur Adilah Roslan
出版: (2020) -
Simulation, design, and fabrication of INP-based PNP heterojunction bipolar transistors /
由: Datta, Suman
出版: (1999) -
Fabrication and characterization of microfluidic field effect transistor on silicon substrate
由: Maizatul, Zolkapli