Two-dimensional analytical modelling of the short-channel mosfet /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Kendall, James D. 1959- |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
Canada :
Carleton University,
1987
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Extraction of submicron mosfet parameters /
بواسطة: Seah, Kah Suan
منشور في: (1997) -
Simulation of charge-trapping in nano-scale mosfets in the presence of random-dopants-induced variability /
بواسطة: Muhammad Faiz Bukhori
منشور في: (2011) -
Hot-carrier effects in thin gate oxide MOSFET's /
بواسطة: See, Leng Kian
منشور في: (1998) -
Hot-carrier studies in submicrometer SOI and conventional MOSFETs /
بواسطة: Yip, Anselm
منشور في: (1998) -
The lateral profiling of interface state and oxide charge densities in electrically stressed MOSFET's /
بواسطة: Hoon, Siew Kuok
منشور في: (1998)