Simulation of charge-trapping in nano-scale mosfets in the presence of random-dopants-induced variability /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Muhammad Faiz Bukhori |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
Glascow :
University of Glascow,
2011
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Extraction of submicron mosfet parameters /
بواسطة: Seah, Kah Suan
منشور في: (1997) -
The lateral profiling of interface state and oxide charge densities in electrically stressed MOSFET's /
بواسطة: Hoon, Siew Kuok
منشور في: (1998) -
Evaluation of hot-carrier degradation in submicrometre MOSFETs by gate capacitance and charge pumping current measurements /
بواسطة: Tan, Suat Eng
منشور في: (1997) -
Hot-carrier degradation study in MOSFET's by charge pumping, gated-diode and floating gate techniques /
بواسطة: Goh, Yong Han
منشور في: (1997) -
Hot-carrier effects in thin gate oxide MOSFET's /
بواسطة: See, Leng Kian
منشور في: (1998)