Effects of isotopic neutron emission on silicon substrate /
The use of silicon material in electronic devices has grown rapidly and efforts have been made to develop techniques for growing perfect Si crystal with increasing dimension. Nonetheless, for the power devices to work at designated power levels and voltage reading, it is necessary to dope the silico...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Roslan bin Yahya |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
Gombak, Selangor :
Kulliyyah of Engineering, International Islamic University Malaysia,
2009
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://studentrepo.iium.edu.my/handle/123456789/4734 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Optical absorption studies of heavily doped silicon /
بواسطة: Aw, Siew Eng
منشور في: (1986) -
Computer controlled transient capacitance measurement and analysis of deep levels in semiconductors /
بواسطة: Wu, Zongmin
منشور في: (1996) -
Pulsed laser illumination of ion implanted silicon /
بواسطة: Wilson, Martin Clive
منشور في: (1983) -
Studies of UV-irradiation effects on the recombination lifetime of silicon wafer /
بواسطة: Lee, Wah Pheng
منشور في: (1996) -
Blue-shift of effective band-gap in n-i-p-i doping superlattices as a function of optical excitation intensity /
بواسطة: Bastola, Subas
منشور في: (1997)