Significance of post oxidation annealing (POA) and post metallization annealing (PMA) on the capacitance-voltage characterization of Si3N4 mos capacitor /

Significance of post oxidation annealing (POA) and post metallization annealing (PMA) on the capacitance-voltage characterization of Si3N4 mos capacitor /

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Rosminazuin binti Ab. Rahim (مؤلف)
التنسيق: أطروحة
اللغة:English
الموضوعات:
Theses, IIUM foreign
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
الوصف
وصف المادة:"Thesis submitted in partial fulfilment for the degree of Master of Science Microelectronics."--On title page.
وصف مادي:xiv, 53 leaves : illustrations ; 30 cm.
بيبلوغرافيا:Includes bibliographical references (leaves 53).

مواد مشابهة