Monte Carlo Simulations Of Avalanche Multiplication, Noise And Speed In Submicron InP
A stochastic nature of avalanche photodiode (APD) model is developed using Monte Carlo method to study the avalanche characteristics in submicron InP p= -i- n+ diodes. The avalanche characteristics such as multiplication gain, excess noise factor and avalanche built-up time in submicron InP p+ -i-n+...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| منشور في: |
2005
|
| الموضوعات: | |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|