Hani Taha, A. A. A. A. (2020). Electrical and temperature characterisation of silicon and germanium nanowire transistors based on channel dimensions.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Hani Taha, Abd Assamad Al Ariqi. Electrical and Temperature Characterisation of Silicon and Germanium Nanowire Transistors Based on Channel Dimensions. 2020.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)Hani Taha, Abd Assamad Al Ariqi. Electrical and Temperature Characterisation of Silicon and Germanium Nanowire Transistors Based on Channel Dimensions. 2020.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.