The optimization of P-i-N power switching diode in term of reverse breakdown voltage and electrostatic disharge performance
The Power switching diode (P-i-N diode) is one of the widely used diode in high power semiconductor devices as circuit protection. This popularity comes from excellent reverse voltage blocking and better electrostatic discharge (ESD) performance. As a result, the exploration on the P-i-N power sw...
محفوظ في:
| التنسيق: | أطروحة |
|---|---|
| اللغة: | English |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/bitstream/123456789/76629/1/Page%201-24.pdf http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/bitstream/123456789/76629/2/Full%20text.pdf http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/bitstream/123456789/76629/3/Declaration%20Form.pdf |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
كن أول من يترك تعليقا!