Junctionless transistors: parametric study with conventional doping in MOSFETS
The advancement of today technologies has been aggressively developed as the needs of current technology that becoming competitive and demanding to accommodate human lifestyle. The electronic gadgets drive the market with the requirements to provide efficient chip functionality at higher speed and e...
محفوظ في:
التنسيق: | أطروحة |
---|---|
اللغة: | English |
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/bitstream/123456789/77894/1/Page%201-24.pdf http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/bitstream/123456789/77894/2/Full%20text.pdf http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/bitstream/123456789/77894/4/Nurul%20Huda.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Extraction of submicron mosfet parameters /
بواسطة: Seah, Kah Suan
منشور في: (1997) -
A study on the impact of processing parameters on low-voltage power MOSFET /
بواسطة: Nur Aqilah Othman
منشور في: (2012) -
The effect of doping concentration on the characteristics of n-channel MOSFET /
بواسطة: Teen, Soh Hong
منشور في: (2005) -
Hot-carrier studies in submicrometer SOI and conventional MOSFETs /
بواسطة: Yip, Anselm
منشور في: (1998) -
Heterojunction bipolar transistor (HBT) for high power applications /
بواسطة: Heng, Chun Huat
منشور في: (1998)