Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza
Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers
Saved in:
Main Author: | |
---|---|
Format: | Thesis |
Language: | English |
Published: |
2005
|
Subjects: | |
Online Access: | http://eprints.usm.my/29184/1/Pembentukan_dan_pencirian_kobalt_silisida_atas_wafer_silikon_%28111%29_pada_suhu_substrat_dan_sepuh_lindap_yang_berbeza-beza.pdf |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
id |
my-usm-ep.29184 |
---|---|
record_format |
uketd_dc |
spelling |
my-usm-ep.291842017-04-12T03:23:19Z Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza 2005-02 Abdul Hamid, Noorhisyam Q Science (General) Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers 2005-02 Thesis http://eprints.usm.my/29184/ http://eprints.usm.my/29184/1/Pembentukan_dan_pencirian_kobalt_silisida_atas_wafer_silikon_%28111%29_pada_suhu_substrat_dan_sepuh_lindap_yang_berbeza-beza.pdf application/pdf en public masters USM Pusat Pengajian Sains Kimia |
institution |
Universiti Sains Malaysia |
collection |
USM Institutional Repository |
language |
English |
topic |
Q Science (General) |
spellingShingle |
Q Science (General) Abdul Hamid, Noorhisyam Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza |
description |
Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky
Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers |
format |
Thesis |
qualification_level |
Master's degree |
author |
Abdul Hamid, Noorhisyam |
author_facet |
Abdul Hamid, Noorhisyam |
author_sort |
Abdul Hamid, Noorhisyam |
title |
Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza |
title_short |
Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza |
title_full |
Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza |
title_fullStr |
Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza |
title_full_unstemmed |
Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza |
title_sort |
pembentukan dan pencirian kobalt silisida atas wafer silikon (111) pada suhu substrat dan sepuh lindap yang berbeza-beza |
granting_institution |
USM |
granting_department |
Pusat Pengajian Sains Kimia |
publishDate |
2005 |
url |
http://eprints.usm.my/29184/1/Pembentukan_dan_pencirian_kobalt_silisida_atas_wafer_silikon_%28111%29_pada_suhu_substrat_dan_sepuh_lindap_yang_berbeza-beza.pdf |
_version_ |
1747820100234248192 |