Technique of failure analysis for gate oxide defect of Bi-polar CMOS Diffuse (BCD) technology
This research presents failure analysis (FA) works on gate oxide defect of Bi�polar CMOS Diffuse (BCD) technology. The latent problem with electrical degradation in the CMOS performance is due to gate oxide defect. The defect was well known affects the CMOS reliability after certain period of ti...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | English English English |
| منشور في: |
2013
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.uthm.edu.my/1902/1/24p%20FARISAL%20ABDULLAH.pdf http://eprints.uthm.edu.my/1902/2/FARISAL%20ABDULLAH%20COPYRIGHT%20DECLARATION.pdf http://eprints.uthm.edu.my/1902/3/FARISAL%20ABDULLAH%20WATERMARK.pdf |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|