Device simulation of the electrical characteristics in 14nm gaussian channel junctionless finfet

In conventional FinFET, it becomes difficult to define the doping concentration of material over a distance shorter than 10nm and produce high-quality junctions for sub 20nm regime which leads to short channel effects. Hence, Junctionless FinFET which offers architecture, free from any p-n junction...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Ramakrishnan, Mathangi
التنسيق: أطروحة
اللغة:English
منشور في: 2022
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://eprints.utm.my/id/eprint/102170/1/MathangiRamakrishnanMSKE2022.pdf.pdf
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!