Simulation of single electron transistor (SET) circuits using Monte Carlo method
The very fast switching characteristics and very low power consumption have given the single electron transistor (SET) promising capabilities to replace CMOS transistors in some semiconductor applications. SET theory of operation is now well established nevertheless the transistor is still under lab...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Ahmad, Syabani |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
2007
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.utm.my/id/eprint/6425/1/SyabaniAhmadMFKE2007.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Risk levels associated with wind generation penetration using Monte Carlo simulations
بواسطة: Mohd. Usman, Mohd. Dzulhafizi
منشور في: (2014) -
Monte-carlo based robust analytical method for optimal sizing and reliability of hybrid renewable energy system
بواسطة: Mudasiru, Mustapha
منشور في: (2020) -
Available transfer capability based on randomly generated probabilistic distribution function of wind speed using Monte Carlo simulation
بواسطة: A. Bakar, Nor Amira
منشور في: (2015) -
Compact modeling of carbon nanotube field effect transistor and its circuit performance
بواسطة: Chek, Desmond Chang Yih
منشور في: (2011) -
Silicon nanowire field-effect transistor (SiNWFET) and its circuit level performance
بواسطة: Bahador, Siti Norazlin
منشور في: (2014)