Mohd Hanif Kamaruddin. Characterizing the channel interface properties of vertical double-diffused metal-oxide semiconductor (DMOS) with charge pumping method.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Mohd Hanif Kamaruddin. Characterizing the Channel Interface Properties of Vertical Double-diffused Metal-oxide Semiconductor (DMOS) with Charge Pumping Method.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)Mohd Hanif Kamaruddin. Characterizing the Channel Interface Properties of Vertical Double-diffused Metal-oxide Semiconductor (DMOS) with Charge Pumping Method.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.