Negative bias temperature instability and permittivity dependent delay mitigation in High-K metal oxide compatible cmos dielectric /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Karim, Nissar Mohammad (مؤلف) |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2015.
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://studentsrepo.um.edu.my/id/eprint/7563 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Characterization of pmosfet degradation in negative bias temperature instability test /
بواسطة: Soon, Foo Yew
منشور في: (2012) -
Defectivity improvement in advanced processes and its investigation to negative bias temperature instabilities in High-K/Metal-Gate Deep-Submicron CMOS /
بواسطة: Yasmin Abdul Wahab
منشور في: (2015) -
Static current and voltage techniques for CMOS reliability characterization /
بواسطة: Jie, Bin Bin
منشور في: (1999) -
Design of a wide-range CMOS digital delay line with sub-picosecond jitter for image sensor applications
بواسطة: Abdulrazzaq, Bilal Isam
منشور في: (2016) -
CMOS compatible vertical surround gate mosfets with reduced parasitics /
بواسطة: Kunz, Veit Dominik
منشور في: (2003)