Simulation framework of NBTI degradation in nano-scale p-mosfets from the perspective of hydrogen and non-hydrogen transport formalism /

Simulation framework of NBTI degradation in nano-scale p-mosfets from the perspective of hydrogen and non-hydrogen transport formalism /

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Hanim Hussin (مؤلف)
التنسيق: أطروحة كتاب
اللغة:English
منشور في: 2015.
الموضوعات:
Microelectronics > Materials > Testing.
Metal oxide semiconductor field-effect transistors > Testing.
Integrated circuits > Defects.
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

مواد مشابهة