Performance of 7NM strained finfet of different channel material based on geometrical properties /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Fatin Nur Nadzirah Azhari (مؤلف) |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2016.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Performance of advanced-process and multi-gated mosfets based on geometric and process design considerations /
بواسطة: Fazliyatul Azwa Md Rezali
منشور في: (2017) -
Numerical and experimental studies of backgating in high electron mobility transistors /
بواسطة: Lee, Kin Man
منشور في: (1995) -
A study on the impact of processing parameters on low-voltage power MOSFET /
بواسطة: Nur Aqilah Othman
منشور في: (2012) -
A study of long and short channel NMOSFET on threshold voltage /
بواسطة: Norseha Ariffin
منشور في: (2013) -
Optimization and characterization of 130 Nm CMOS transistor design using TCAD simulation /
بواسطة: Hani Noorashiqin Abd Majid
منشور في: (2007)