Degradation analysis based on design considerations of advanced-process MOSFET /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Ainul Fatin Muhammad Alimin (مؤلف) |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2018.
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://studentsrepo.um.edu.my/9116/ |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Performance of advanced-process and multi-gated mosfets based on geometric and process design considerations /
بواسطة: Fazliyatul Azwa Md Rezali
منشور في: (2017) -
New techniques for the characterization of hot-carrier degradation in MOS devices /
بواسطة: Leang, Sern Ee
منشور في: (1997) -
A study on the impact of processing parameters on low-voltage power MOSFET /
بواسطة: Nur Aqilah Othman
منشور في: (2012) -
Extraction of submicron mosfet parameters /
بواسطة: Seah, Kah Suan
منشور في: (1997) -
Characterization of pmosfet degradation in negative bias temperature instability test /
بواسطة: Soon, Foo Yew
منشور في: (2012)