GW approximation study of compton profiles of some transition metal oxides and semiconductors /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Sidiq Mohamad Khidzir (مؤلف) |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2018.
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://studentsrepo.um.edu.my/10210/ |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Characterization of fluorine upon implant sequence on p-metal oxide semiconductor (PMOS) and P+/N-Junction schottky diode in BiCMOS technology / Siti Zubaidah Md Saad
بواسطة: Md Saad, Siti Zubaidah
منشور في: (2014) -
Development of green's functions and elliptic integral formulas for some classes of structures /
بواسطة: He, Xiaoqiao
منشور في: (1998) -
Formation of ZrO2 gate dielectric on Ge substrate by thermal oxidation and post annealing for metal-oxide-semiconductor devices /
بواسطة: Lei, Zhen Ce
منشور في: (2019) -
Characterizing the channel interface properties of vertical double-diffused metal-oxide semiconductor (DMOS) with charge pumping method /
بواسطة: Mohd Hanif Kamaruddin -
Development of empirical potential profile model for unusual energy separation of subbands in inidium-absorbed Si(111) inversion layer /
بواسطة: Nur Idayu binti Ayob
منشور في: (2015)