Lei, Z. C. (2019). Formation of ZrO2 gate dielectric on Ge substrate by thermal oxidation and post annealing for metal-oxide-semiconductor devices.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Lei, Zhen Ce. Formation of ZrO2 Gate Dielectric on Ge Substrate by Thermal Oxidation and Post Annealing for Metal-oxide-semiconductor Devices. 2019.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)Lei, Zhen Ce. Formation of ZrO2 Gate Dielectric on Ge Substrate by Thermal Oxidation and Post Annealing for Metal-oxide-semiconductor Devices. 2019.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.