Formation of ZrO2 gate dielectric on Ge substrate by thermal oxidation and post annealing for metal-oxide-semiconductor devices /
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة كتاب |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2019.
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://studentsrepo.um.edu.my/11120/ |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| وصف مادي: | xxiv, 181 leaves : illustrations ; 30 cm Also issued in CD. |
|---|---|
| بيبلوغرافيا: | Bibliography: leaves 160-180. |