Mohd Afiq Anuar. (2020). Growth of semi-polar (11-22) GaN epitaxial layer on M-plane sapphire via MOCVD.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Mohd Afiq Anuar. Growth of Semi-polar (11-22) GaN Epitaxial Layer on M-plane Sapphire via MOCVD. 2020.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)Mohd Afiq Anuar. Growth of Semi-polar (11-22) GaN Epitaxial Layer on M-plane Sapphire via MOCVD. 2020.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.