Growth of semi-polar (11-22) GaN epitaxial layer on M-plane sapphire via MOCVD /

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي:	Mohd Afiq Anuar (مؤلف)
التنسيق:	أطروحة كتاب
اللغة:	English
منشور في:	2020.
الموضوعات:	Gallium nitride. Epitaxy. Optoelectronics. Crystal growth. Piezoelectricity. Chemical vapor deposition.
الوصول للمادة أونلاين:	http://studentsrepo.um.edu.my/12183/
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

الوصف
وصف مادي:	xv, 68 leaves : illustrations (some colour) ; 30 cm Also issued in CD.
بيبلوغرافيا:	Biblography: leaves 64-67.

مواد مشابهة