Epitaxial growth of semi-polar (11-22) Gallium nitride for UV photosensing application /
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | Abdullah Haaziq Ahmad Makinudin (مؤلف) |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة كتاب |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2020.
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://studentsrepo.um.edu.my/12943/ |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Growth of semi-polar (11-22) GaN epitaxial layer on M-plane sapphire via MOCVD /
بواسطة: Mohd Afiq Anuar
منشور في: (2020) -
Crystal quality enhancement of semi-polar (11-22) InGaN/GaN-based LED grown on m-plane sapphire substrate via MOCVD /
بواسطة: Fadhil, Omar Ayad
منشور في: (2019) -
Optical monitoring of alluminium deposition on gallium arsenide by chemical beam epitaxy /
بواسطة: Muhammad Azmi Abdul Hamid
منشور في: (1999) -
High quality single-crystalline aluminum nitride grown using pulsed atomic-layer epitaxy technique by MOCVD on sapphire substrate /
بواسطة: Mohd Nazri Abd Rahman
منشور في: (2021) -
Ion implantation in gallium nitride /
بواسطة: Sun, Yuejun
منشور في: (2000)
