Polarization-dependent electroabsorption in lattice-matched and strained quantum well structures /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Wan, Hong Wai |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1993.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
A study of GaAs/InGaAs/AIAs stepped quantum wells by C-V profiling /
بواسطة: Mohd. Edee Rozey Abd. Manaf
منشور في: (2001) -
Study of strained-layer quantum well semiconductor heterostructure lasers /
بواسطة: Loh, Ter Hoe
منشور في: (1993) -
Study of MBE grown AIInGaAs/AIGaAs quantum wells and their application in semiconductor lasers /
بواسطة: Zhang, Zhihe
منشور في: (1997) -
Strained quantum well heterostructure : modeling and simulation of 980 nm laser /
بواسطة: Hung, Yew Mun
منشور في: (2002) -
Intersubband transitions in quantum well infrared photodetector /
بواسطة: Cheah, Chin Wei
منشور في: (2001)