Electrical characterisation of MOS gate oxide /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Ooi, Joo Aik |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1996.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Degradation and annealing of electrically-stressed thin oxide in MOS devices /
بواسطة: Ng, Wee Thong
منشور في: (1998) -
Hot-carrier characterization of tungsten polycide gate and graded-junction MOS transistors /
بواسطة: Lou, Choon Leong
منشور في: (1997) -
Reliability investigation of MOS devices under high current impulse stressing /
بواسطة: Teh, Gim Leong
منشور في: (1998) -
A comparative study of MOS capacitors fabricated on single-crystal and polycrystalline silicon /
بواسطة: Tay, Tuang Mee
منشور في: (1990) -
Modelling and simulation of hot-carrier degradation in submicrometre MOS transistors /
بواسطة: Seah, Boon Pian
منشور في: (1995)