A study of traps in semi-insulating AlxGa1-xAs grown by molecular beam epitaxy at low substrate temperatures /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Chen, Geng |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1998.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
A study of traps in semi-insulating GaAs grown by MBE at low temperatures /
بواسطة: Goo, Chuen Hang
منشور في: (1997) -
Optical monitoring of alluminium deposition on gallium arsenide by chemical beam epitaxy /
بواسطة: Muhammad Azmi Abdul Hamid
منشور في: (1999) -
Defect studies of MBE grown AlGaAs/GaAs and InGaAs/GaAs materials /
بواسطة: Du, An Yan
منشور في: (1998) -
Low-temperature grown semiconducting GaAs epilayer on Si by molecular beam epitaxy and its application to laser diodes /
بواسطة: Phua, Cheng Chiang
منشور في: (1997) -
Avalanche Multiplication and Excess Noise in Thin Heterojunction AlxGa1_xAs/GaAs Avalanche Photodiodes
بواسطة: Low, Lay Chen
منشور في: (2010)