Defect studies of MBE grown AlGaAs/GaAs and InGaAs/GaAs materials /
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة كتاب |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
1998.
|
| الموضوعات: | |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| LEADER | 00758cam a2200229 a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | u443185 | ||
| 003 | SIRSI | ||
| 008 | 990805s1999 si v 00 eng m | ||
| 035 | |a ACH-7226 | ||
| 040 | |a UMM | ||
| 090 | |a TK7871.15 |b G3Du | ||
| 100 | 1 | 0 | |a Du, An Yan. |
| 245 | 1 | 0 | |a Defect studies of MBE grown AlGaAs/GaAs and InGaAs/GaAs materials / |c by Du An Yan. |
| 260 | |c 1998. | ||
| 300 | |a xiv, 164 leaves : |b ill. ; |c 30 cm. | ||
| 502 | |a Thesis (Ph.D.) -- National University of Singapore, 1999. | ||
| 504 | |a Bibliography: leaves 151-164. | ||
| 650 | 0 | |a Gallium arsenide semiconductors |x Defects | |
| 650 | 0 | |a Molecular beam epitaxy. | |
| 948 | |a 09/08/1999 |b 19/07/2000 | ||
| 596 | |a 1 | ||
| 999 | |a TK7871.15 G3DU |w LC |c 1 |i A509000593 |l STACKS |m P01UTAMA |r Y |s Y |t TESIS |u 2/8/2000 | ||