Growth and characterization of nitrogen doped GaP grown by liquid phase epitaxy /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Saith, Saket |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1999.
|
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Liquid phase epitaxy of InAs1-xSb1-x using antimony-rich melt /
بواسطة: Chatrath, Vishal
منشور في: (1999) -
Low-temperature grown semiconducting GaAs epilayer on Si by molecular beam epitaxy and its application to laser diodes /
بواسطة: Phua, Cheng Chiang
منشور في: (1997) -
Low temperature grown GaAs and its application on laser diodes /
بواسطة: Zhao, Rong
منشور في: (1998) -
Characterization of epitaxial surfaces and interfaces of wide band gap semiconductores /
بواسطة: Xie, Xianning
منشور في: (2003) -
A study of traps in semi-insulating AlxGa1-xAs grown by molecular beam epitaxy at low substrate temperatures /
بواسطة: Chen, Geng
منشور في: (1998)