A study on the hot-carrier degradation of wide and narrow channel nmosfet devices with recessed-locos isolation structures /
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة كتاب |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2000.
|
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| وصف المادة: | Photocopy. |
|---|---|
| وصف مادي: | xviii, 144 leaves : ill. ; 30 cm. |
| بيبلوغرافيا: | Bibliography: leaves 137-144. |