Study on the characteristics of A1GaAs/GaAs HEMT under illumination /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Huang, Yajian |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2001.
|
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Defect studies of MBE grown AlGaAs/GaAs and InGaAs/GaAs materials /
بواسطة: Du, An Yan
منشور في: (1998) -
Study of LT-GaAs and LT-A1(0.3)Ga(0.7A)As MISFET devices /
بواسطة: Rao, Rapeta V.V.V. Jagannadha
منشور في: (2000) -
Theoretical comparison of tensile strained inGaAs/InA1GaAs and InGaAs/InGaAsP QW lasers emitting at 1.55 um /
بواسطة: Khoo, Hong Khai
منشور في: (1999) -
Study of intersubband transitions in InGaAs/GaAs quantum wells /
بواسطة: H. Jamal Mohamad
منشور في: (1996) -
Low temperature grown GaAs and its application on laser diodes /
بواسطة: Zhao, Rong
منشور في: (1998)