توثيق جمعية علم النفس الأمريكية APA (الطبعة السابعة)

Sin, C. Y. (2002). Photoresist trimming technique in high-density oxygen-based plasmas for sub-0.1 um mosfet fabrication using 248-nm lithography.

توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)

Sin, Chian Yuh. Photoresist Trimming Technique in High-density Oxygen-based Plasmas for Sub-0.1 Um Mosfet Fabrication Using 248-nm Lithography. 2002.

توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)

Sin, Chian Yuh. Photoresist Trimming Technique in High-density Oxygen-based Plasmas for Sub-0.1 Um Mosfet Fabrication Using 248-nm Lithography. 2002.

تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.