Sin, C. Y. (2002). Photoresist trimming technique in high-density oxygen-based plasmas for sub-0.1 um mosfet fabrication using 248-nm lithography.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Sin, Chian Yuh. Photoresist Trimming Technique in High-density Oxygen-based Plasmas for Sub-0.1 Um Mosfet Fabrication Using 248-nm Lithography. 2002.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)Sin, Chian Yuh. Photoresist Trimming Technique in High-density Oxygen-based Plasmas for Sub-0.1 Um Mosfet Fabrication Using 248-nm Lithography. 2002.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.