Photoresist trimming technique in high-density oxygen-based plasmas for sub-0.1 um mosfet fabrication using 248-nm lithography /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Sin, Chian Yuh |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2002.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
- Optimization of line pattern transfer of integrated optical mach-zender interferometer for optical sensor
-
Fault tolerance of L1 data cache memory induced by intrinsic parameters fluctuation in sub 10nm UTB-SOI MOSFETs
بواسطة: Ahmed, Rabah Abood
منشور في: (2013) -
Simulation of 0.1um Mos devices for logic and memory technologies /
بواسطة: Poh, Francis Yong Wee
منشور في: (2002) -
Study on alignment capability and overlay performance in back-end of line lithography process for 130nm technology /
بواسطة: Lau, Siau Yen -
Integration of Cu interconnects for sub-0.25 um manufacturing /
بواسطة: Yap, Kuan Pei
منشور في: (1999)