Laser annealing of donor implanted gallium arsenide /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Akintunde, J. A. |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1981.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Study of MBE grown AIInGaAs/AIGaAs quantum wells and their application in semiconductor lasers /
بواسطة: Zhang, Zhihe
منشور في: (1997) -
Low-temperature grown semiconducting GaAs epilayer on Si by molecular beam epitaxy and its application to laser diodes /
بواسطة: Phua, Cheng Chiang
منشور في: (1997) -
Pulsed laser illumination of ion implanted silicon /
بواسطة: Wilson, Martin Clive
منشور في: (1983) -
Defect studies in gallium arsenide phosphide and confirmation of negative-U property of sulphur related DX center /
بواسطة: Luo, Yingying
منشور في: (1994) -
Low temperature grown GaAs and its application on laser diodes /
بواسطة: Zhao, Rong
منشور في: (1998)