Enhanced stability of nickel silicide for advanced CMOS silicon technologies /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Lee, Pooi See |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2001.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Integration of self-aligned silicide (salicide) process for sub-0.25 [mu]m CMOS technology /
بواسطة: Ho, Chaw Sing
منشور في: (2002) -
Process integration issues of self-aligned titanium silicide technology (Ti-Salicide) in deep sub-micron CMOS devices fabrication /
بواسطة: Lim, Chong Wee
منشور في: (1998) -
Static current and voltage techniques for CMOS reliability characterization /
بواسطة: Jie, Bin Bin
منشور في: (1999) -
Negative bias temperature instability and permittivity dependent delay mitigation in High-K metal oxide compatible cmos dielectric /
بواسطة: Karim, Nissar Mohammad
منشور في: (2015) -
Design of CMOS potentiostat for low-concentration heavy metal detection
بواسطة: Raeisinafchi, Mehran
منشور في: (2015)