Lim, P. S. (2001). Latent damage generation in silicon dioxide under high-field impulse and constant-bias stressing.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Lim, Peng Soon. Latent Damage Generation in Silicon Dioxide Under High-field Impulse and Constant-bias Stressing. 2001.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)Lim, Peng Soon. Latent Damage Generation in Silicon Dioxide Under High-field Impulse and Constant-bias Stressing. 2001.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.