Effect of annealing on direct current and pulse PECVD hydrogenated amorphous silicon /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Lim, Seck Chai |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2004.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Hydrogenated amorphous silicon by pulsed plasma enhanced chemical vapour deposition technique /
بواسطة: Goh, Boon Tong
منشور في: (2005) -
PECVD hydrogenated amorphous carbon films : growth and characterization /
بواسطة: Rozidawati Awang
منشور في: (2008) -
Hydrogenated amorphous silicon prepared by d.c. plasma enhanced chemical vapour deposition of helium diluted silane /
بواسطة: Roszairi Haron
منشور في: (2004) -
Amorphous silicon (a-Si:H)/silicon nitride (a-SiNx:H) superlattice by D.C. plasma enhanced chemical vapour deposition : preparation and characterization /
بواسطة: Mitani, Sufian Mousa Ibrahim
منشور في: (2004) -
Optical and electro-optical properties of D.C. PECVD hydrogenated amorphous silicon /
بواسطة: Intan Zuraini Daman
منشور في: (2004)