A study on the impact of processing parameters on low-voltage power MOSFET /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Nur Aqilah Othman |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2012.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Extraction of submicron mosfet parameters /
بواسطة: Seah, Kah Suan
منشور في: (1997) -
A study of long and short channel NMOSFET on threshold voltage /
بواسطة: Norseha Ariffin
منشور في: (2013) -
A study on hot carrier effect (HCE) on LDD n-MOSFET /
بواسطة: Haziezol Helmi Mohd Yusof
منشور في: (2013) -
A study on the impact of processing parameters on silicon-on-insulator power MOSFET /
بواسطة: Noraziah Abd Wahab
منشور في: (2013) -
The effect of doping concentration on the characteristics of n-channel MOSFET /
بواسطة: Teen, Soh Hong
منشور في: (2005)