Characterization of pmosfet degradation in negative bias temperature instability test /

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي:	Soon, Foo Yew (مؤلف)
التنسيق:	أطروحة كتاب
اللغة:	English
منشور في:	2012.
الموضوعات:	Metal oxide semiconductor field-effect transistors. Metal oxide semiconductors, Complementary. Semiconductors. Microelectronics.
الوصول للمادة أونلاين:	http://studentsrepo.um.edu.my/id/eprint/8383
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!


LEADER	01542cam a2200361 i 4500
001	u865789
003	SIRSI
005	201210021034
008	121002s2012 my a m 000 0 eng m
040			\|a UMM \|d UMJ \|d AUM \|e rda
090			\|a TA7 \|b UM 2012 Soo
097			\|a TA7 \|b UM 2012 Soo
100	1		\|a Soon, Foo Yew, \|e author.
245	1	0	\|a Characterization of pmosfet degradation in negative bias temperature instability test / \|c Soon Foo Yew.
264		1	\|c 2012.
264		4	\|c 2012.
300			\|a xxii, 118 leaves : \|b illustrations ; \|c 30 cm.
336			\|a text \|2 rdacontent
337			\|a unmediated \|2 rdamedia
338			\|a volume \|2 rdacarrier
502			\|b M.Eng.Sc. \|c Jabatan Kejuruteraan Elektrik, Fakulti Kejuruteraan, Universiti Malaya, 2012.
504			\|a Bibliography: leaves 111-117.
596			\|a 1 7 25
650		0	\|a Metal oxide semiconductor field-effect transistors.
650		0	\|a Metal oxide semiconductors, Complementary.
650		0	\|a Semiconductors.
650		0	\|a Microelectronics.
710	2		\|a Universiti Malaya. \|b Jabatan Kejuruteraan Elektrik, \|e degree granting institution.
856	4	1	\|u http://studentsrepo.um.edu.my/id/eprint/8383
900			\|a AT-ZA
999			\|a TA7 UM 2012 SOO \|w LC \|c 1 \|i A515293865 \|d 13/6/2013 \|f 13/6/2013 \|g 1 \|l STACKS \|m P01UTAMA \|r Y \|s Y \|t TESIS \|u 11/6/2013
999			\|a TA7 UM 2012 SOO \|w LC \|c 1 \|i A515564965 \|d 12/7/2013 \|f 12/7/2013 \|g 1 \|l STACKS \|m P07JURUTER \|r Y \|s Y \|t TESIS \|u 9/7/2013
999			\|a TA7 UM 2012 SOO \|w LC \|c 1 \|i A515564934 \|d 12/7/2013 \|f 12/7/2013 \|g 1 \|l STACKS \|m P25UMARCHI \|r N \|s Y \|t CD \|u 9/7/2013 \|1 STEM \|o .STAFF. MST-CD1568

مواد مشابهة