A study of long and short channel NMOSFET on threshold voltage /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Norseha Ariffin |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2013.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
A study on the impact of processing parameters on low-voltage power MOSFET /
بواسطة: Nur Aqilah Othman
منشور في: (2012) -
Characterization of pmosfet degradation in negative bias temperature instability test /
بواسطة: Soon, Foo Yew
منشور في: (2012) -
A study on the effects of design parameters on PD SOI MOSFET /
بواسطة: Nurul Azimah Ahmad Arzaai
منشور في: (2013) -
A study of hot carrier degradation in LDMOS transistor /
بواسطة: Atikah Razi
منشور في: (2013) -
A study on hot carrier effect (HCE) on LDD n-MOSFET /
بواسطة: Haziezol Helmi Mohd Yusof
منشور في: (2013)