A study on the effects of design parameters on PD SOI MOSFET /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Nurul Azimah Ahmad Arzaai |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2013.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
A study on the impact of processing parameters on silicon-on-insulator power MOSFET /
بواسطة: Noraziah Abd Wahab
منشور في: (2013) -
Electrical characterization of bulk traps and interface traps in the fully-depleted SOI MOSFET /
بواسطة: Lun, Zhao
منشور في: (2002) - Numerical simulations of innovative ground plane and double-gate configurations in thin-body and -buried oxide of SOI MOSFETS
-
Carrier lifetime characterization techniques in SOI and bulk silicon /
بواسطة: Cheng, Zhiyuan
منشور في: (1999) -
A study of long and short channel NMOSFET on threshold voltage /
بواسطة: Norseha Ariffin
منشور في: (2013)