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  1. 1
    Growth of semi-polar (11-22) GaN epitaxial layer on M-plane sapphire via MOCVD /
    由 Mohd Afiq Anuar
    出版 2020
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  2. 2
    Epitaxial growth of semi-polar (11-22) Gallium nitride for UV photosensing application /
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  3. 3
    Growth of non-polar (11-20) A-plane GaN based leds grown on (1-120) R-plane sapphire substrate via MOCVD /
    由 Anas Kamarundzaman
    出版 2022
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  4. 4
    The enhancement of indium tin oxide nanocolumnar properties as transparent conducting oxide layer for a blue indium gallium nitride based light emitting diode /
    由 Najwa Surani
    出版 2015
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  5. 5
    Optimization of AIN/GaN strained-layer superlattice for GaN Epitaxy on Si(111) substrate /
    由 Yusnizam Yusuf
    出版 2017
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  6. 6
    Growth of GaN-based LED on c-plane GaN substrate /
    由 Sivanathan Pariasamy
    出版 2018
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  7. 7
    Crystal quality enhancement of semi-polar (11-22) InGaN/GaN-based LED grown on m-plane sapphire substrate via MOCVD /
    由 Fadhil, Omar Ayad
    出版 2019
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  8. 8
    Ion implantation in gallium nitride /
    由 Sun, Yuejun
    出版 2000
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  9. 9
    Optical characterization of wide energy gap group III-nitride semiconductors /
    由 Liu, Wei
    出版 1999
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  10. 10
    Plasma-induced damage to gallium nitride /
    由 Choi, Hoi Wai
    出版 2002
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