Tenaga peralihan optik perigi kuantum heterostruktur ultranipis A1x Ga1-xAs/GaAs
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Ho, Wan Seng |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | Malay |
منشور في: |
Universiti Kebangsaan Malaysia, Bangi
Fakulti Sains Fizis dan Gunaan
1989
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Electronic structure and excitation in Ga1-xA1xAs quantum wells /
بواسطة: Guo, Qiang
منشور في: (1996) -
Study of intersubband transitions in InGaAs/GaAs quantum wells /
بواسطة: H. Jamal Mohamad
منشور في: (1996) -
Avalanche Multiplication and Excess Noise in Thin Heterojunction AlxGa1_xAs/GaAs Avalanche Photodiodes
بواسطة: Low, Lay Chen
منشور في: (2010) -
A study of GaAs/InGaAs/AIAs stepped quantum wells by C-V profiling /
بواسطة: Mohd. Edee Rozey Abd. Manaf
منشور في: (2001) -
Kesan saiz dan lapisan pembasahan terhadap sifat elektronik sistem noktah kuantum terterik In As-GaAs berpiramid /
بواسطة: Gregory Henry Ripan