Kajian tentang ciri-ciri elektrik transistor elektron kelincahan tinggi pseudomorfik (PHEMT) dalam regim nano /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Khairul Nisha Mohd. Kharuddin |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | Malay |
منشور في: |
Bangi :
Fakulti Kejuruteraan, Universiti Kebangsaan Malaysia,
2006
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Kesan sepuhlindap ke atas ciri elektrik sentuhan Ohmik dan Schottky untuk peranti transistor elektron berkelincahan tinggi (HEMTs) /
بواسطة: Asban Dolah -
Numerical and experimental studies of backgating in high electron mobility transistors /
بواسطة: Lee, Kin Man
منشور في: (1995) -
Vanadyl tetrabutyltetrakis (dimethylamino) phthalocyanine based thin films for organic sensor and transistor applications /
بواسطة: Nur Adilah Roslan
منشور في: (2020) -
Simulation, design, and fabrication of INP-based PNP heterojunction bipolar transistors /
بواسطة: Datta, Suman
منشور في: (1999) -
Fabrication and characterization of microfluidic field effect transistor on silicon substrate
بواسطة: Maizatul, Zolkapli