Commercial SiGe and GaAs as low noise amplifiers (LNA) performance under electron radiation /
In this dissertation, a characterization and comparison between the effects of Electron irradiation on low noise amplifiers (LNAs) implemented in a Silicon-Germanium (SiGe) Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) and Gallium-Arsenide (GaAs) HBT technologies, respectively, was carried out. Nowadays,...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
Kuala Lumpur :
Kulliyyah of Engineering, International Islamic University Malaysia,
2016
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | Click here to view 1st 24 pages of the thesis. Members can view fulltext at the specified PCs in the library. |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|