Electrical and optical characterization of commercial GaN and InGaN LED subjected to electron radiation /
The effects of electron radiation on light emitting diode (LED) is of great interest owing to the great need of LED as a lighting source in space, military, and extreme industrial environments. Information regarding the degradation rate of the electrical and optical properties for newer models of Ga...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Anati Syahirah binti Hedzir (مؤلف) |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
Kuala Lumpur :
Kulliyyah of Engineering, International Islamic University Malaysia,
2017
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://studentrepo.iium.edu.my/handle/123456789/4739 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Surface and interface investigations of InSb, GaSb, CdTe, InGaN and GaN epitaxial semiconductor thin films /
بواسطة: Li, Kun
منشور في: (1997) -
Growth of GaN-based LED on c-plane GaN substrate /
بواسطة: Sivanathan Pariasamy
منشور في: (2018) -
Crystal quality enhancement of semi-polar (11-22) InGaN/GaN-based LED grown on m-plane sapphire substrate via MOCVD /
بواسطة: Fadhil, Omar Ayad
منشور في: (2019) -
Optimization of AIN/GaN strained-layer superlattice for GaN Epitaxy on Si(111) substrate /
بواسطة: Yusnizam Yusuf
منشور في: (2017) -
First-principles study of structural, electronic and optical properties of AlN, GaN, InN and BN compounds
بواسطة: Al-Sardia, Mowafaq Mohammad Kethyan
منشور في: (2013)