Dopants concentration effect on gallium arsenide and gallium nitride-based homojunction LED epi-layers
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Faris Azim Ahmad Fajri |
---|---|
التنسيق: | كتاب |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Gallium nitride nanowire by nitridation of electrochemically grown gallium oxide on silicon
بواسطة: Mohd. Ghazali, Norizzawati
منشور في: (2015) -
Electronic structure simulation of gallium arsenide clusters
بواسطة: Musa, Nor Muniroh
منشور في: (2009) -
Laser annealing of donor implanted gallium arsenide /
بواسطة: Akintunde, J. A.
منشور في: (1981) -
Metal-semiconductor-metal ultra-violet detectors based on Gallium nitride and aluminium gallium nitride /
بواسطة: Gu, Wenhua
منشور في: (2003) -
Ion implantation in gallium nitride /
بواسطة: Sun, Yuejun
منشور في: (2000)